资料来源：BOAOTECH 据报道，在东圭恩（Dongguan）桑山湖（Shandshan Lake）海岸的华为工厂，刻有“中国制造”的庞然大物正在全速运转。预计它将准确地掉入晶圆的强烈紫外光束，描述了一千只薄发的电路。 这不是ASML机器，而是华为与国内链链共同开发的EUV光刻机。现场工程师宣布，主灯源的效率达到3.42％，这是“最后一英里”远离国际最高水平的效率。 在没有华为的没有dongguan底座的尘埃中，第一个国内生产的严重紫外线（EUV）光刻机器已安装并进入并进入了进行芯片试验的过程。 测试数据表明，该设备每小时可以处理250个晶圆，超过了同一水平的195件ASML生产能力。它的主要光源已采用激光生成的等离子体（LDP）技术由Harbin技术研究所开发，在ASML解决方案中，能源转化效率高达2.25倍，但设备的量降低了30％。 参与测试的一名工程师描述：“当13.5纳米长度的紫色梁首先穿透晶圆时，整个车间都会在掌声中爆炸，这意味着我们实际上将保持制作芯片的“光剑”。” 与ASML的二氧化碳轰炸技术不同，中国团队选择了“变化车道和超越”方法。 Harbin技术研究所开发的等离子体极端紫外线光源（DPP）使用固体脉冲激光直接在等离子体辐射上电能，从而消除了复杂的激光增强链接。 这将设备的电消耗量减少了40％，而成本仅为进口设备的1/3。更重要的是，这项技术已经完全超过了ASML LPP的障碍（激光等离子体）。 希望能源生产能够在2026年进行...这种速度令人惊讶。是的，它比您想象的要快。因为这意味着制造国内芯片的成本至少可以降低一半。 最令人兴奋的是，中国在这条道路上的努力得到了认可。美国半导体协会的最新报告表明，中国与世界领先水平之间的差距已缩短到12个月。 “空间狭窄，捕捉速度正在加速。”没有夸张的夸张。创新及工业连锁创新的合作尚未被估计。在2026年之前，可能关闭国内3NM芯片的技术系统。只要一切都很好，基本材料的定位将同时提出。 此外，在2027年，测试线将正式打开。收益率可以从30％增加到40％增加到60％，增至70％。这似乎是一个印度Cator，但后面是国内制造的整个开始。在2028年，大规模劳动力的规模将扩大，以满足国内需求的70％以上。费用比国际巨头低20％至25％。你说，这不是大新闻吗？家用产品的技术优势逐渐变得清晰。 20多年前，其他人可以通过进口技术来成为Gumawa的生活。如今，中国本身已经开始了独立变革的道路。 更像未来的是，随着国内EDA工具和高级包装技术的突破，我们将能够在2028年左右独立掌握它。与制造高端芯片的所有链接。到2030年，有可能在某些领域实现国际巨头的部分超越。不用说，这意味着重新定义了全球半导体行业。这些公司以前是否可以通过技术封锁和资本优势建立立足点？成功光刻机器是该国科学和技术力量的真正硬核展示。 这一切都开始了Lamthe。国内EUV的成功肯定会推动相关行业链（从设计到制造业）的相关行业链的全面升级，这都是中国数字经济，人工智能，甚至下一波革命和技术革命的浪潮的动力。机会来了，这是曾经是生活的经历。将来，中国将永远不会依靠“可见和有形”的硬核技术来领导他人。我在路上行走，我永远不会停下来。 人们经常说：“只有你想不出，什么也没做。”目前，我们看到了该国的决定和研发团队的努力。停止凝视“还早”和“有点晚”的原因。相信我，就在Thosementic Chip的兴起前几个小时。在三年内，最重要的是谁能阻止我们在芯片领域唯一的一个？这些技术差距的粘附只是数量的一系列变化，这也表明中国的技术将被捕获甚至超过。 继续支持国内产品，并共同见证奇迹的出现。未来不远，等待我们的东西越来越丰富，更强大。您还记得观看新闻的兴奋吗？这不仅是技术的成功，而且是民族意志的成功。这条路刚刚开始。我们从未在这场战斗中退缩。尽力接受中国筹码的春天！ 金融的官方帐户 24小时滚动播放最新的住宿和视频，并扫描QR码，以供更多粉丝遵循（Sinafinance）